</p>
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电位结构</p>
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电位结构的描述:使用ze代表电位分布,则电位分布ze=(x,y,z),使用estr代表电位结构,则电位结构estr=(zeize∈ze1,ze2,ze3,…zen,其中zen=(xn,yn,zn),n∈z,n作为一个序号而与xyz的值无关)其中e是electric potential,即电位的略写,而ze则是z electric potential的略写。</p>
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一、电位结构平衡</p>
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基于人体内的带电粒子比如电子、离子、分子、大分子团等的空间分布结构而形成的高电位(电势、电压)与低电位(电势、电压),以高电位作为起点eo,低电位作为终点em,两点连线构成的有方向的线结构eo→m,这个由高低电位构成的有方向的线结构eo→m,称之为电位路径结构eo→m。由无数电位路径结构分布在人体上而形成的遍布人体的三维立体电位网状结构,称之为人体电位路径结构,其描述为 neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)。</p>
</p>
人体的各种含有正负电荷的粒子如电子结构、离子结构等,称之为电位目的结构estr。</p>
</p>
对于电位目的结构,作为起点的高电位称之为电位始态eo,较高电位低作为终点的电位em,称之为电位目的态em。</p>
</p>
目的态吸力:确定电位路径结构eo→m的方向,并且影响电位目的结构estr的运动的电磁力ef称之为目的态吸力ef。</p>
</p>
电位结构的显性与隐性:当粒子结构被电离或电性正负中hé píng衡被打破时,使得粒子成为带电的电子、离子、分子,称之为电位结构的显性,使用d表示(dominant,显性);当带电的电子、离子、分子的正负两级电性被中和时,成为不带电的粒子,称之为电位结构的隐性,使用r表示(recessive,隐性)。只有处于被电离或电性正负中hé píng衡被打破时,使得粒子成为带电的电子、离子、分子,才能称之为电位目的结构,写作estrd,而隐性电位结构则写作estrr。为了方便讨论,estrd一般直接写作estr。</p>
</p>
阻碍结构:处于电位路径结构eo→m的高电位eo与低电位em之间的能封闭电位路径结构或能阻挡电位目的结构到达低电位(目的态)的结构称之为阻碍结构。</p>
</p>
电位结构滞留现象:在电位目的结构estr接触并通过阻碍结构时,电位目的结构会损失一部分的结构成分并且粘附在阻碍结构上而使得阻碍结构慢慢成长,这种现象称之为电位结构滞留现象。电位结构滞留现象诞生的新的电位结构可在别的电位结构平衡里面充当电位目的结构estr。</p>
</p>
平衡态:使电位目的结构与阻碍结构平衡与稳定的位置,称之为平衡态。</p>
</p>
电位结构平衡:电位目的结构estr从电位路径结构eo→m的高电位eo受到电磁力ef的作用趋向于低电位em(目的态)的过程中,被阻碍结构阻挡并且停止趋向于目的态em的事件,称之为电位结构平衡。电位结构平衡的本质是带电粒子具有的稳定电压、电势的运动,而非是带电粒子本身的移动。</p>
</p>
电位结构平衡的描述:若高电位用eo=(x1,y1,z1)表示,低电位用em=(x2,y2,z2)表示,电位目的结构用estr表示,电磁力用ef 表示,电位结构平衡用estr-b表示,那么有</p>
</p>
电位结构平衡: estr-b=(estr,em,eo→m),电位结构平衡可简写成“estr-b”。</p>
</p>
电位结构平衡式: estr-b=eo→ef/estr→em。</p>
</p>
单电位结构平衡:只有一个目的结构estr、一个目的态em、一个路径结构“eo→m”的结构平衡estr-b=(estr,em,eo→m),称之为单电位结构平衡,简称单电位结构。</p>
</p>
特殊的电位结构平衡: estr-b=(estr,em,eo→m),当em为零,eo→m为零时,有estr-b=(estr,0,0)或estr-b=estr。</p>
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电位结构平衡倾斜定律:</p>
</p>
1、在空间o-xyz中,只有一个目的态em时,目的结构estr受到平衡力ef的作用而从始态向目的态em倾斜。</p>
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2、在空间o-xyz中,若有两个或以上的目的态em的话,结构estr向其中具有最大平衡力ef或等效最大平衡力ef的目的态倾斜,其中,结构平衡的目的结构必须是自由独立的。</p>
</p>
结构平衡定律的描述:</p>
</p>
1、在空间o-xyz中,若estr=estr,ef=ef,em=em则有</p>
</p>
eo→ef/estr→em</p>
</p>
2、在空间o-xyz中,若estr=estr,ef=ef1,ef2,em=em1,em2则有</p>
</p>
ef1>ef2,→(eo→ef1/estr→em1)或者ef1<ef2,→(eo→ef2/estr→em2)(其中ef1≠ef2,estr必须是自由独立的)</p>
</p>
</p>
电位结构平衡的崩毁:构成电位结构平衡运动系统的三元素,即路径结构、目的结构、目的态,它们三者中只要有一个消失或等价消失,那么就会导致电位结构平衡的完全崩毁。 </p>
</p>
电位结构平衡的意义:生物体的机械运动与思维运动,都可以定义、归化为电位结构平衡运动。例如膝盖神经反射、关节的筋条收缩、肌肉收缩、肠道蠕动,以及感觉的产生、记忆的保存、思维的各种huó dòng等等。生物体的空间内分布着大量纵横交错的各种电位路径结构eo→m,无数的目的结构estr沿着这些电位路径结构eo→m运动,运动时,即目的结构estr处于趋向于目的态em的过程中,静止时,即目的结构处于平衡态。</p>
</p>
</p>
人体电位结构的性质</p>
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连通性:人体的血肉上遍布着无数的电位路径结构eo→m,它们是相互连通的,形成了遍布人体的三维立体电位网状路径结构neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)。</p>
</p>
封闭性:人体的血肉上遍布着无数的电位路径结构eo→m,形成的遍布人体的三维立体电位网状路径结构neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn),它是封闭的,处于其中的电位目的结构不能自由地从它里面离开,处于它外面的电位目的结构不能自由从它外面进入,使得三维立体电位网状路径结构neo→m的能量形成守恒循环,永不停歇地进行多电位结构平衡运动nestr-b=(estr-b1,estr-b2,estr-b3…estr-bn) 。</p>
</p>
基本性:电位足够微小,可视作质点,并且遍布人体,可以基本翻译出外界与人体的多结构体,并且足够精确。</p>
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二、电位目的态</p>
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电位目的态(表象级定义):电位结构平衡estr-b里的线(轨道)电位路径结构eo→m的终点em,称之为电位目的态。这个定义在电位结构平衡里提到过,但它只是表象级的定义,在这里不作研讨。</p>
</p>
电位目的态(核心级定义):某个确定的电位结构estr处于一个确定的位置eo,由于电磁力ef的作用而趋向于另一个由estr与ef确定的位置em,那么,这个确定的位置m就跟该电位结构estr有了一种趋向关系,而这具有这种趋向关系(吸引关系)的位置em,称之为电位目的态,意为电位目的状态。</p>
</p>
电位目的态的产生:当某个确定的电位结构estr受到某个确定的电磁力ef作用时,该电位结构就会产生一种确定的趋向关系,而恰好趋向某个确定的位置,于是,就会诞生出一个特殊的位置em,即电位目的态。</p>
</p>
关系符号:“-”称之为基本关系符号,代表着它两端事物之间的某种关系,由于关系符两边的事物以及它们数量比例的不同,因此关系符号连接的事物的关系也不一样。</p>
</p>
电位结构趋向关系:电位目的结构estr于ef于位置em之间的关系,称之为电位结构趋向关系,简称趋向关系,其描述为“estr-ef-em”或者简称em,即电位目的结构estr与力ef与位置em这两者中间使用关系符“-”连接而得到的。</p>
</p>
estra=(ea1,ea2,ea3…ean,ea=(x,y,z),n是正整数),ea是构成电位结构estra的质点,em=(ec1,ec2,ec3,…ecn,ec=(x,y,z),n是正整数,c是坐标coordinate),efa=(ef1,ef2,ef3,…efn,n是正整数),其中,1到n作为一种编号、序号,即不表示坐标点的递增,也不表示坐标点的递减,更与坐标点无直接关系。那么,estra-ef-em=(ea1-ef1-ec1,ea2-ef2-ec2,ea3-ef3-ec3…ean-efn-ecn),则称estra-ef-em是电位结构estra的目的态em,m与c的位置坐标相同,但em是电位结构受电磁力而趋向的c,而efa=(ef1,ef2,ef3,…efn)则是电位目的态em产生的原因,由于电位结构平衡运动的电位目的态em都是建立在电位结构estr存在的大前提之下的,所以电位目的态的表示可以省略掉电位结构,即em=(ef1-ec1,ef2-ec2,ef3-ec3…efn-ecn),简写成em=(ef,ec)。</p>
</p>
当一个具有确定的质点位置与确定质点数量的电位结构,受到一个具有确定大小与确定方向的电磁力时,那么这个电位结构就会产生一个目的,一个意识,而这个目的或意识会驱使电位结构达到某个确定的位置或位置集合,而这个位置或位置集合称之为电位目的态em。</p>
</p>
以上,就是电位目的态的本质。</p>
</p>
使用em表示质点电位目的态,则有:质点电位目的态em=(ef,ec),即em=ef-(x,y,z),或者em=(h=1/2gt)-(x,y,z)等等,其中ef是电磁力、二维力或它们的合力,(h=1/2gt)是力之运动形式,(x,y,z)是质点在受到电磁力的作用后的空间分布位置;以上是最基本的电位目的态,它们的电位目的态两元素,即电磁力与位置是简单的。 </p>
</p>
对于由有限质点ze构成的电位目的结构estr而言,构成它的所有质点的初始分布位置c的集合受到电磁力的作用而绝对趋向于所有不定位置的集合,如电磁力的力核、二维力的方向终点、电磁力与二维力的合力的方向终点这些位置的集合,这些力或者说力之运动形式与对应位置的集合称之为电位目的态。注意的是,力与质点位置集合是一组匹配的数据,也是不能单独分开的,另外,电位目的态由于两元素的复杂程度的不同,电位目的态也随之复杂。</p>
</p>
使用em表示电位结构目的态,则有em=(em1,em2,em3…emn,其中emn=(efn,ecn),cn=(xn,yn,zn),n∈z),其中emn是构成电位目的结构estr的质点ze的目的态,em代表电位结构的质点位置集合。</p>
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三、多电位结构平衡系统</p>
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多电位结构平衡系统:若x代表电位目的结构的数量,y代表低电位(目的态)的数量,z代表电位路径结构的数量,则多电位结构平衡系统为estr-b=x-y-z,其中xyz均是正整数</p>
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多电位结构体平衡:estr-b=xc-y-z。</p>
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多电位结构平衡系统的运转</p>
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电位目的结构的结合或团结:estr-b=x-1-z</p>
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电位目的结构的分解或分离:estr-b=x-y-z</p>
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电位系统的稳定:estr-b=x-y-z</p>
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电位系统的不稳定:estr-b=x-y-1</p>
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电位系统的崩溃:estr-b=x-y-0</p>
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电位系统的简单性:estr-b=1-y-z</p>
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电位系统的复杂性:estr-b=x-y-z</p>
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电位系统的无序与停止:estr-b=x-0-z</p>
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电位系统的归零:estr-b=0-y-z</p>
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电位多电位结构系统的构成</p>
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电位多电位路径结构:neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)</p>
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多电位目的结构:nestr=(estr1,estr2,estr3…estr n) </p>
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多电位始态:neo=(eo1,eo2,eo3,…eon) </p>
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多电位目的态:nem=(em1,em2,em3,…emn) </p>
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多电位结构平衡:nestr-b=(estr-b1,estr-b2,estr-b3…estr-bn) </p>
</p>
电位意识世界(cw):一个有限大的空间里,即o-xyz,(其中xyz包含正半轴与负半轴,且xyz的值均取有限值),分布着有限多的多电位路径结构“eo→mp”以形成有限多的多电位路径结构网络neo→mp=(eo→mp1,eo→mp2,eo→mp3…eo→mpn),有限多的电位目的结构nestrp=(estrp1,estrp2,estrp3…estrp n)。处于对应的电位路径结构的始态neo=(eo1,eo2,eo3,…eon)之上而趋于电位目的态nemp=(emp1,emp2,emp3,…empn) ,形成了有限多的不停运转的电位结构平衡nestrp-b=(estrp-b1,estrp-b2,estrp-b3…estrp-bn),而有限大的空间o-xyz与这些有限多的电位结构平衡的集合nestrp-b称之为电位意识世界nestrp-b&o-xyz,即ecw=nestrp-b&o-xyz,(cw即consciousness world,e即电位)。</p>
</p>
</p>
</p>
四、多电位结构体(estr-b=xc-y-z型)倾斜定律:</p>
</p>
对于多电位结构体平衡的情形,有</p>
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estr=estr1,estr2,estr3…estr n</p>
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em=em1,em2em3…em n</p>
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eo=eo1,eo2,eo3…eo n</p>
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ef=ef1,ef2,ef3,…ef n</p>
</p>
多电位结构体倾斜定律:</p>
</p>
1在时间——空间区域中,随机分布着各种结构estr=(estr1,estr2,estr3…estr n)的目的态em=em1,em2em3…em n,若该区域只有多结构体nestrc其中一个目的结构estr n的目的态em n,即estr-b=xc-1-z,那么该多结构体nestrc其余的目的结构estr=(estr1,estr2,estr3…estr n-1)停留在始态eo=eo1,eo2,eo3…eo n-1,即从estr1到est-1解除显性状态d,从目的结构estrd变成处于隐性状态r的普通结构estrr而隐藏起来,而该目的结构estr nd则向该目的态em n倾斜;</p>
</p>
2同层级的目的结构,某目的结构estr1的目的态em1具有的目的态吸力ef1大于另一个目的结构estr2的目的态em2具有的目的态吸力ef2时,该目的结构estr1向目的态em1平衡倾斜,另一目的结构estr2则成为estrr停留在始态eo2;</p>
</p>
3在时间——空间区域中,随机分布着各种结构estr=(estr1,estr2,estr3…estr n)的目的态em=em1,em2em3…em n,若该区域有若干个目的态,即estr-b=xc-y-z,那么,对于异层级的目的结构,首先进行核心级目的结构estr1向核心级目的态em1的平衡倾斜,其余目的结构estr2,estr3…estr n停留在始态eo2,eo3…eo n,即解除显性状态d,从目的结构estrd变成处于隐性状态的普通结构estrr而隐藏起来,待得核心级目的结构estr1完成了向目的态em1的倾斜或者说待核心级目的态的目的态吸力ef1消失或小于中层级目的态的目的态吸力ef2时,进行中层级目的结构estr2向中层级目的态em2的平衡倾斜,其余目的结构estr3…estr n停留在始态eo3…eo n,即解除显性状态,从目的结构estrd变成处于隐性状态的普通结构estrr而隐藏起来,待得中层级目的结构estr2完成了向目的态em2的倾斜或者说中层级目的结构的目的态吸力ef2消失或小于表象级目的em3的目的态吸力ef3时,进行表象级目的结构estr3向表象级目的态em3的平衡倾斜,以此类推。</p>
</p>
多结构平衡定律的描述:</p>
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11em=em n2estr=estr n3ef=efn则有</p>
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eo→efn/estr n→em n</p>
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21em=em1,em22estr=estr1,estr23ef=ef1,ef2则有</p>
</p>
ef1>ef2,→(eo→ef1/estr→em1)或者ef1<ef2,→(eo→ef2/estr→em2)(其中ef1≠ef2)</p>
</p>
31em=em1,em2,em3,…em n2estr=estr1,estr2,estr3,…estr n3ef=ef1,ef2,ef3,…ef n则有</p>
</p>
ef1>ef2,→(eo→ef1/estr1→em1)</p>
</p>
ef2>ef3,→(eo→ef2/estr2→em2)</p>
</p>
ef3>ef4,→(eo→ef3/esr3→em3)</p>
</p>
…</p>
</p>
ef n-1>ef n,→(eo→ef n-1/estr n-1→em n-1)</p>
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ef n>ef n+1,→(eo→ef n/estr n→em n)</p>
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五、多电位结构体目的态</p>
</p>
多电位结构体目的态:由单电位目的态em=(ef,ec)或m=(ef,el)构成的电位目的态集nem=(em1,em2,em3,…emn),称之为多电位结构体的目的态。</p>
</p>
电位目的态的层级:电位目的态根据ef的大小分为核心级电位目的态、中层级电位目的态、表象级电位目的态三种。</p>
</p>
电位目的态的显性与隐性:在多电位结构体的目的态nem=(em1,em2,em3,…emn)之中,当em1=(ef,ec)中的ef1远大于em2,em3,…emn中的ef2,ef3,…,efn(通常ef2,ef3,…,efn的值由于正负电子中和而为零),使得em2,em3,…emn的合力(并非是ef2,ef3,…,efn的总和)小于ef1,即efi将它们抵消后还是大于零,那么em1就是多电位结构体的显性电位目的态emd,而em2,em3,…emn则是多电位结构体的隐性电位目的态emr。</p>
</p>
多电位结构体目的态的失控或崩溃</p>
</p>
正常运行的多电位结构体目的态nem=(em1,em2,em3,…emn),当其中的核心级电位目的态em1=(efmax,ec)消失后,剩下的中层级以及表象级电位目的态就会失控,使得原先有序的、成体系的多电位结构目的态一下子崩溃。</p>
</p>
此时,原先被核心级电位目的态em1=(efmax,ec)镇压、调控的中层级以及表象级电位目的态em2,em3,…emn会从em1底下冒出来,由于都是同层级的电位目的态,所以在一段时期内多电位结构体的电位结构平衡运动都是由em2,em3,…emn轮番执掌的,处于这个时期,多电位结构体的平衡运动是无序的、难以利用的、难以预测的、缓慢粘滞的、目的性不明显的。直到em2,em3,…emn中诞生出核心级的电位目的态,才能使多电位结构体的电位结构平衡运动变得有序的、可运用的、可预测的、强大的、迅速的、极具目的性的。</p>
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目的态吸力的断续</p>
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一次断点:对于目的态吸力的持续作用,出现一次的断供,称之为一次断点,符号是一根长横线,其中间一根短竖线,两线互为平分。</p>
</p>
多次断点:对于目的态吸力的持续作用,出现多次的断供,称之为多次断点,符号是一根长横线,该长横线被三根短竖线四等分。</p>
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目的态吸力的连续</p>
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连续增大:对于目的态吸力的持续作用,没有出现断供,并且不断增大,称之为连续增大,符号是右上四十五度角的箭头。</p>
</p>
连续减少:对于目的态吸力的持续作用,没有出现断供,并且不断减少,称之为连续减少,符号是右下四十五度角的箭头。</p>
</p>
连续波动:对于目的态吸力的持续作用,没有出现断供,并且不断平滑波动,称之为连续波动,符号是一条起伏周期的波浪曲线。</p>
</p>
连续转折:对于目的态吸力的持续作用,没有出现断供,并且不断曲折震动,称之为连续转折,符号是一条具有四个转折点的折线。</p>
</p>
目的态吸力的空间分布</p>
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三维立体填充:对于目的态吸力的作用范围的形式,是填充于三维空间的每个角落,称之为三维立体填充,符号是三根等长的线段,第一根是横线,第二根是竖线,并且它的下端点与横线的左端点重合于o点,第三根线段的端点以右上四十五度角与o点重合。</p>
</p>
二维平面覆盖:对于目的态吸力的作用范围的形式,是覆盖于二维平面空间上的每一个点,称之为二维平面覆盖,符号是两根等长的线段,第一根是横线,第二根是竖线,并且它的下端点与横线的左端点重合于o点。</p>
</p>
一维线集:对于目的态吸力的作用范围的形式,是集中于一维线上的每一个点,称之为一维线集,符号是一根线段。</p>
</p>
零维点:对于目的态吸力的租用范围的形式,是集中于零维的一个点上,称之为零维点,符号是一个点。</p>
</p>
目的态吸力的时间周期</p>
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时间随机性:对于目的态吸力的诞生、产生、出现等现象,若是毫无规则的、不可测的,称之为时间随机性,符号是ts</p>
</p>
时间定期性:对于目的态吸力的诞生、产生、出现等现象,若是人为制定的、人为控制的,称之为时间定期性,符号是td</p>
</p>
时间周期性:对于目的态吸力的诞生、产生、出现等现象,若是按照某种规律重复变化的,称之为时间周期性,符号是tz</p>
</p>
以上是基本的目的态吸力的类型,相对应地,目的态可以根据目的态吸力的类型分为四类,分别是目的态吸力的断续em、目的态吸力的连续目的态em、目的态吸力的空间分布em、目的态吸力的时间周期em,而实际上,许多的目的态em往往是四种m的其中两种或两种以上的复合型em。</p>
</p>
多结构体目的态吸力的断续图</p>
</p>
多结构体目的态吸力的断续图:以时间t为横轴,以目的态吸力f为纵轴,两者所构成的用以单位时间描绘多结构体的目的态吸力的平面直角坐标系图像,称之为多结构体目的态吸力的断续图。</p>
</p>
目的态吸力函数:以时间t为自变量,以目的态吸力f为因变量,以k为函数法则,则数量关系式f=k·t称之为目的态吸力函数,或写作f(t)。</p>
</p>
断续区:在某个时间区间内,f值为零(多结构都处于平衡态,即eo→m上的所有点包括om,都可以作为平衡态,使得多结构的所有目的态吸力的合力为零),则称这个时间区间为断续区。</p>
</p>
连续区:在某个时间区间内,f值为非零,则称这个时间区间为连续区。</p>
</p>
秒时制断续图:横轴以一秒的时间长度内为最大研究范围的断续图,称之为秒时制断续图。</p>
</p>
分时制断续图:横轴以一分钟的时间长度内为最大研究范围的断续图,称之为分时制断续图。</p>
</p>
小时制断续图:横轴以一小时的时间长度内为最大研究范围的断续图,称之为小时制断续图。</p>
</p>
24小时制断续图:横轴以24小时的时间长度内为最大研究范围的断续图,称之为24小时制断续图。</p>
</p>
波形连续区:目的态吸力函数的某个连续区的图像若为波浪曲线,称之为波形连续区。</p>
</p>
折线连续区:目的态吸力函数的某个连续区的图像若为折线曲线,称之为波形连续区。</p>
</p>
密集断续区:目的态吸力函数的某个断续区的图像线若经常与横轴重合且重合时间较短,称之为密集断续区。</p>
</p>
稀疏断续区:目的态吸力函数的某个断续区的图像线若很少与横轴重合且重合时间较长,称之为稀疏断续区。</p>
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</p>
电位始态球膜:由电位始态∞eo=(eo1,eo2,eo3,…eon…eo∞)的位置坐标eo构成的具有一定弹性限度的封闭球面,上面附着许多estr=(ze1,ze2,ze3,…zen)的质点ze,当球面上的某个电位结构进行电位结构平衡以达到目的态时,由eo构成的球面就会向球面外的电位目的态em以突刺状凸出以达到电位目的态em,又或者向球面内的电位目的态m凹陷以达到电位目的态em,而这个由始态∞eo=(eo1,eo2,eo3,…eon…eo∞)的位置坐标eo构成的封闭球面,称之为电位始态球膜。除了电位球膜外,其它的不规则形状的封闭膜称之为不定形电位始态膜。</p>
</p>
外膜刺:电位始态球膜为了达到膜外的目的态em而以突刺锥状凸出,称之为外膜刺。</p>
</p>
外膜柱:电位始态球膜歪了达到膜外的目的态em而以柱状凸出,称之为外膜柱。</p>
</p>
内膜刺:电位始态球膜为了达到膜内的目的态em而以突刺锥状凹陷,称之为内膜刺。</p>
</p>
内膜柱:电位始态球膜为了达到膜内的目的态em而以柱状凹陷,称之为内膜柱。</p>
</p>
膜膨胀:电位始态球膜为了达到膜外的目的态em而向外膨胀,称之为膜膨胀。</p>
</p>
膜收缩:电位始态球膜为了达到膜内的目的态而向内收缩,称之为膜收缩。</p>
</p>
膜震:电位始态球膜由于力的作用而向膜外与膜内震颤,称之为膜震。</p>
</p>
膜回归:电位始态球膜由于力的作用产生并达到目的态后,重新恢复成原来的球膜,称之为膜回归。</p>
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</p>
电位目的态膜:电位始态球膜受到简单或复杂的电磁力而使得它的一部分膜面积或全部膜面积向外凸出或向内凹陷而形成的新的膜或膜面积,称之为电位目的态膜。例如上面的膜刺、膜柱等等。</p>
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电位膜路径距离:构成电位始态球膜的质点与由它形成的电位目的态膜的质点之间的电位路径距离的集合,称之为电位膜路径距离。其描述为neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)。</p>
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对于多电位结构体目的态,可以表示为电位始态球膜(含有构成电位结构的所有质点)受到各种类型的电磁力而形成的电位目的态膜。而不同类型或不同状态的电磁力是形成各种复杂高级的电位目的态的重要因素。下面是各种类型的力以及它们的简单符号,以方便讨论。</p>
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人类多电位结构体目的态产生的原因类型</p>
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对于人类这种高级的多电位结构体,它的电位目的态产生的原因分为两大类,分别是多电位结构体各电位结构之间的挤压与多电位结构体之外的结构接触这两大类。</p>
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内电位结构平衡:多电位结构体体内的单电位结构平衡estr-b=(estr,em,eo→m),称之为内电位结构平衡。内电位结构平衡是通过其挤压、撕扯结合在一起的单电位结构以对多电位结构体对其产生压力、拉力等类型的力以使多电位结构体产生电位目的态。</p>
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主要是以下的内电位结构平衡:</p>
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肺叶电位结构平衡</p>
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心室电位结构平衡</p>
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膈肌电位结构平衡</p>
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筋条电位结构平衡</p>
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肌肉电位结构平衡</p>
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皮肤电位结构平衡</p>
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主动脉血管电位结构平衡</p>
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静脉血管电位结构平衡</p>
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毛细血管电位结构平衡</p>
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肠道电位结构平衡</p>
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以上的各种人体器官电位结构平衡,它们可以视为不定形电位始态膜,设它们的电位始态膜是正常膨胀放松与正常收缩的中间值,那么它们正常的、有规律的、周期性的膜膨胀与膜收缩称之为正常生理电位目的态em,一般而言,正常生理m是一种常态,可以等价为始态而忽略掉。</p>
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当它们这些膜超出了正常生理电位目的态而过度膨胀放松、过度收缩、局部内外膜刺等等,而互相挤压与撕扯时,相互间会形成不同程度的断续的、连续的、不同空间的、不同周期与随机的压力与拉力,就会突然产生一些电位目的态,而这些不正常的、没规律的、没周期性的电位目的态,称之为非正常生理em。</p>
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非正常生理em往往是某些多电位结构平衡现象的核心级em。例如,某人的胃出现痉挛,即胃这个电位结构过度收缩,当然这是由于他长时间没有进食的结果,那么他就会打算去医院治理或去餐馆进食以缓解胃部痉挛,这是中层级em,当他吃饭时,他就会思考他为什么没有进食,当然原因是多样的,譬如贫困、工作紧张、厌食等等,于是他就会相应地产生赚钱、旅游、改善饮食结构等各种表象级的m。</p>
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外结构平衡:多结构体体外的单结构平衡estr-b=(estr,em,eo→m),称之为外结构平衡。外结构平衡是外结构通过冲击、摩擦、接触多结构体对其产生冲力、摩擦力、压力等力以使多结构体产生em。</p>
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常见的的外结构平衡:球类运动,qì chē行驶,竞技游戏,天降杂物,等等。</p>
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将人体体表视为不定形电位始态膜,对于这些外结构平衡,当它们的目的态是人体体表上的某个外部电位结构时,并且达到目的态,就会接触到人体体表,使得人体体表这张不定形电位始态膜产生膜刺、膜柱、局部收缩、局部膨胀等等,进而对肌肉电位结构、血管、脏器等电位结构对其产生断续的、连续的、不同空间的、不同周期与随机的冲力、摩擦力、压力等力以使人体产生各种em,而这些em,跟内电位结构平衡的em一样,也会导致一连串的中层级m以及表象级的m产生。</p>
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“电位结构,是一种高级结构,而由单电位结构构成的多电位结构平衡系统则具有庞大、高精度、快速响应等等优点,能够进行复杂的结构平衡运动。”</p>
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“人体内的电位结构是什么?”</p>
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“是由无数微小的神经元细胞上的轴突与树突所构成的庞大的电位路径网络,它们遍布人体内的皮肉,随时接受各种目的态吸力而进行电位结构平衡运动。”</p>
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“同样遵循多结构平衡定律吗?”</p>
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“同样遵循。”</p>
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“对于电位结构,有一个翻译精度的问题,那就是到底需要怎样的一个精度,才能满足各种结构平衡运动的视觉翻译、听觉翻译、嗅觉翻译、味觉翻译、触觉翻译?”</p>
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“关于这个问题,的确是一个关键的问题,不过,太过具体的事情我并不清楚。”</p>
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“大概的思路总有吧。”</p>
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“一般而言,电位结构的精度自然是电子或者说电荷那种数量级的精度,因为这是电位结构的最小单元。但是,人类的技术水平一时间是无法达到这种精度的,又迫于生产需求,所以就需要研究出一个满足既符合生产需求,又符合目前掌握的技术的电位结构翻译精度。对于这个电位结构翻译精度的问题,大概可以从边角结构与填充结构入手。”</p>
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“边角结构与填充结构?”</p>
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“是的,关于电位结构的翻译精度,第一,也就是最重要的,是保证由单电位结构结合而成的庞大的多电位结构体的每一个边角结构的翻译,一旦缺少了部分的边角结构,那就会导致翻译出来的结构残缺不全;第二,对于填充结构,也就是你关心的翻译精度的问题,这个需要进行一系列的实验才能测定下来的,举个例子,照相机的分辨率或传感器的进光量(光子数量)要多高才能达到人类的视觉要求,又或者,一张字帖的某个字,需要往里面平均填充进多少个碳原子,才能恰好让人类的视觉辨认出这个字。同样的,余下的听觉翻译、嗅觉翻译、味觉翻译、触觉翻译,也是同样的思路。”</p>
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“你的意思是,先确定多电位结构体的所有边角结构,然后才是确定多电位结构体的填充结构?”</p>
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“是的,另外,人体的电位结构的翻译或编译,这是不亚于基因工程的项目,需要对其进行深层次的研究。”</p>
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